本所声明  |  联系方式  |  中国科学院  |  数字认证(OA)   |  ARP  |  English  |  邮箱

标题: Characterization of defect levels in beta-Ga2O3 single crystals doped with tantalum
作者: LiuHaoyue;ZhangNaiji;YinJunhua;XiaChangtai;FengZheChuan;HeKaiyan;WanLingyu;MohamedH.F.
论文类型: 期刊论文
期刊/会议名称: CRYSTENGCOMM
年: 2021
卷: 23
期: 15