本所声明  |  联系方式  |  中国科学院  |  数字认证(OA)   |  ARP  |  English  |  邮箱
新闻动态 > 综合新闻

国家重点研发计划项目“大尺寸氧化镓半导体材料与高性能器件研究”2024年度总结会顺利召开

来源： 发布时间：2024-12-10【字体：大 中 小】

12月10日，国家重点研发计划“新型显示与战略性电子材料”重点专项“大尺寸氧化镓半导体材料与高性能器件研究”项目2024年度总结会在杭州顺利召开。项目牵头承担单位中国科学院上海光学精密机械研究所副所长张龙致辞。项目责任专家，特邀专家，项目参与单位项目骨干成员、财务等30余位参加会议。上海光机所科技管理部科研计划处副处长何嘉、项目责任专家沈波教授分别主持会议。

张龙代表项目承担单位致欢迎词，感谢各位专家不辞辛劳，从全国各地来参加此次会议。项目负责人齐红基研究员代表研究团队整体汇报了2024年度项目总体进展情况。近一年来，项目组完善了共振掺杂机制理论，实现了n型和半绝缘型6英寸氧化镓晶体及高质量掺杂可控的薄膜制备，二极管、晶体管、射频器件及日盲紫外探测等多种器件的研制也基本完成了最终指标，最后着重介绍了一年来项目组在共性理论、单晶工程化研制，及全国产材料自主验证方面的代表性成果。

与会专家从技术进展、应用场景等方面提出了多方面的宝贵意见，探讨了AI人工智能等在单晶生长中的作用，并指出当前氧化镓在应用方面仍缺少杀手锏级的应用场景，一些性能指标距离成熟应用产品仍有差距，后续应重点加强缺陷方面研究。沈波教授做总结发言，对项目组提出了下一步工作要求，并针对明年验收考核过程中的一些问题提出了宝贵意见。

该项目由中国科学院上海光学精密机械研究所牵头，联合厦门大学、吉林大学、中国电子科技集团公司第五十五研究所、北京中材人工晶体研究院有限公司、复旦大学、电子科技大学、杭州光学精密机械研究所、杭州富加镓业科技有限公司多家单位协同攻关。上海光学精密机械研究所先进激光与光电功能材料部齐红基研究员担任项目负责人。项目面向发展氧化镓基日盲紫外探测及功率电子器件的迫切需求，以解决氧化镓单晶衬底和外延薄膜缺陷与掺杂机制，微观电子结构、薄膜物性和器件性能构效关系等关键科学问题为基础，突破 6英寸单晶热场设计、高质量外延膜生长、器件核心结构设计等关键技术，研制出新一代高性能氧化镓基功率及探测器件。

附件下载：

copyright 2000- 中国科学院上海光学精密机械研究所 沪ICP备05015387号-1
主办：中国科学院上海光学精密机械研究所 上海市嘉定区清河路390号(201800)

转载本站信息，请注明信息来源和链接。 沪公网安备 31011402010030号


上海光机所
微信公众号

尚光聚力
微信公众号