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国家重点研发计划项目“大尺寸氧化镓半导体材料与高性能器件研究”2023年度总结会顺利召开

来源： 发布时间：2023-12-28【字体：大 中 小】

12月24日，国家重点研发计划“新型显示与战略性电子材料”重点专项“大尺寸氧化镓半导体材料与高性能器件研究”项目2023年度总结会在厦门大学科学艺术中心顺利召开。北京大学沈波教授、浙江大学盛况教授、山东大学陶绪堂教授、中国科学技术大学龙世兵教授、中国科学院微电子研究所王鑫华研究员、南京大学叶建东教授、苏州西交利物浦大学刘雯高级副教授出席本次会议，沈波教授和盛况教授为项目责任专家。项目依托单位中国科学院上海光学精密机械研究所副所长张龙、项目负责人齐红基及相关研究人员三十余人参会。

张龙代表项目承担单位致欢迎词，他对各位专家在百忙之中从全国各地前来参加本次会议表示衷心的感谢，并介绍了项目的背景和基本情况，他指出近一年来项目取得了一定进展，期待各位专家能给项目组提出更多宝贵的建议，开展更广泛的交流合作，并现场为各位咨询专家颁发聘书。

齐红基汇报了2023年度项目总体进展情况，各子课题负责人分别汇报工作进展。一年来，项目组提出了全新掺杂机制理论，实现了近6英寸氧化镓晶体毛坯生长及高质量掺杂可控的薄膜制备，并完成了二极管、晶体管、射频器件及日盲紫外探测等多种器件的研制及性能验证。专家组就报告内容进入了深入的技术讨论。

与会专家从技术本身、未来应用场景、国内外竞争地位、以及国内团队良性互动合作方面提出了宝贵建议。

沈波总结发言，他强调了该项目在十四五期间的重要定位，提出未来要以材料攻关为主，加强基本技术原理研究；同时强调了关键技术环节的创新与成果凝练，应仔细梳理当前面临的核心问题，注重用户应用评价，并对项目未来预期成果提出了高标准要求。

该项目由中国科学院上海光学精密机械研究所牵头，联合厦门大学、吉林大学、中国电子科技集团公司第五十五研究所、北京中材人工晶体研究院有限公司、复旦大学、电子科技大学、杭州光学精密机械研究所、杭州富加镓业科技有限公司多家单位协同攻关。项目面向发展氧化镓基日盲紫外探测及功率电子器件的迫切需求，以解决氧化镓单晶衬底和外延薄膜缺陷与掺杂机制，微观电子结构、薄膜物性和器件性能构效关系等关键科学问题为基础，突破 6英寸单晶热场设计、高质量外延膜生长、器件核心结构设计等关键技术，研制出新一代高性能氧化镓基功率及探测器件。

会议合影

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