本所声明  |  联系方式  |  中国科学院  |  数字认证(OA)   |  ARP  |  English  |  邮箱

10月24日学术报告

来源: 发布时间:2016-10-19【字体:

  报告题目:熔体法晶体生长的微观机理和新型晶体生长模型

  报告人:殷绍唐

  单位: 中国科学院安徽光学精密机械研究所

  时间:20161024日上午1000

  地点:上海光机所溢智厅 

 

  内容摘要:从原子分子尺度原位实时研究晶体生长过程中生长基元的结构演化及规律,这是获得晶体生长微观机制的关键方法。报告人应用高温显微拉曼光谱技术和同步辐射技术等最新的科学观测手段,实现了对熔体法晶体生长过程的原位实时观测,发现了晶体生长时在晶体和熔体之间存在晶体生长边界层,在边界层内熔体中的结构基元演化成为具有单胞结构的生长基元,光谱显示生长基元的数量或体积是逐步增大的。生长基元在边界层内形成时已经具有了与籽晶相同的取向性,取向性是在籽晶表面静电场的影响下形成的。在以上研究的基础上提出了新型晶体生长理论模型,许多晶体生长的宏观规律都可以应用该模型找到他们形成的微观机制。

   

  报告人简介:殷绍唐,中国科学院安徽光学精密机械研究所资深研究员,从事晶体生长研究工作近四十年,先后承担和参加了国家、科学院的研究项目数十项,曾获得国家科技进步奖一项,科学院科技进步一等奖一项,二等奖两项。近二十年来,对熔体法晶体生长的微观机理进行了原位实时的实验研究,发现了熔体法晶体生长边界层的存在,以及生长基元在边界层内的演化规律,提出了新型的熔体法晶体生长模型。

 

 

 

强激光材料重点实验室      

2016-10-19      

 


附件下载: