中国科学院上海光学精密机械研究所(简称:上海光机所)成立于1964年5月,是我国建立最早、规模最大的激光科学技术专业研究所。发展至今,已形成以探索现代光学重大基础及应用基础前沿、发展大型激光工程技术并开拓激光与光电子高技术应用为重点的综合性研究所。研究...
中国科学院上海光学精密机械研究所(简称:上海光机所)是我国建立最早、规模最大的激光专业研究所,成立于1964年,现已发展成为以探索现代光学重大基础及应用基础前沿研究、发展大型激光工程技术并开拓激光与光电子高技术应用为重点的综合性研究所。重...
上海光机所国际合作工作始终围绕上海光机所的主责主业,以服务重大任务和国家需求为牵引,强化目标导向,注重内外集成协同,加强重大国际合作任务的谋划。坚持“战略布局,需求牵引,技术引领,合作共赢”的原则,基于科技部授予的国家国际科技合作基地及本单位学科技术优势,围绕“一带一路”国家倡议,深化拓展与发达国家实质性合作,夯实海外机构建设,积极培育和发起国际大科学计划,加强国际组织任职推荐,组织相关国际会议等,汇聚各类国际人才,建立以“平台-人才-项目-组织”合作模式,融入全球创新合作网络,助力上海光机所成为国际一流科研机构。上海光机所国际合作一直得到所领导的高度重视,历届所长亲自主管国际合作。1972年,上海光机所接待诺贝尔奖的美籍华裔科学家杨振宁,标志着我所第一次对外开放。2007年,被科技部首批授予“科技部国际科技合作基地”。2016年,科技部首次对全国2006-2008年间认定的113家国际合作基地进行了评估,上海光机所获评“优秀”。2021年,科技部首次对全国719家国际合作基地进行了评估,上海光机所持续获评“ 优秀”。王岐山副主席到上海光机所视察时,对上海光机所近几年取得的系列科技成果,以及重大国际合作项目“中以高功...
作为我国建立最早、规模最大的激光科学技术专业研究所,和首批上海市科普教育基地之一,中国科学院上海光学精密机械研究所(简称:上海光机所)在致力于科技创新的同时,十分重视科普工作。多年来,上海光机所借助科研院所强大的科普资源优势,围绕光学与激光科学技术,积极开展公众开放日、科普讲座、科技课堂、科普作品创...
超强激光科学卓越创新简报
(第五百九十一期)
2025年1月3日
上海光机所在YIG磁光陶瓷离子切片及1.55μm近红外和2.1μm中红外片上隔离器应用方面取得进展
近期,中国科学院上海光学精密机械研究所空天激光技术与系统部王俊研究员团队在YIG磁光陶瓷离子切片及1.55 μm近红外和2.1 μm中红外片上隔离器应用方面取得进展。相关成果以“Study on ion slicing of iron garnet magneto-optic materials for near and mid-infrared on-chip optical isolators”为题发表于Optics Express。
稀土掺杂铁石榴石(RIG)以其卓越的磁光效应备受关注。基于RIG的光隔离器已成为光通信和集成光子学领域的重要元件,能够有效防止反射光进入激光腔或光信号链路,从而提高系统的稳定性和可靠性,但将其集成到光子集成芯片(PICs)中仍然面临着材料兼容性、成本和生产规模等多重挑战。目前,将铁石榴石材料与硅进行异质集成的方案主要有脉冲激光沉积(PLD)、D2W键合以及新兴的微转印方案等,但实际实施受到加工设备精度和过程控制的苛刻要求制约,限制了其进一步大规模应用。
本研究中,研究团队利用离子切片技术,成功地验证了在硅基底上制备高光学品质铁石榴石磁光薄膜的可行性,并展示了其在片上光隔离器中的潜在应用。研究团队采用钇铁石榴石(YIG)晶体,掺铋铁石榴石(BIG)和新开发的YIG陶瓷作为基材,分别探究了115 keV能量和2E16剂量He+离子注入下的离子与缺陷分布,并通过起泡实验证明了YIG陶瓷与单晶材料通过离子切片技术实现百纳米级薄膜制备的可行性。与单晶相比,YIG陶瓷具有生产成本更低、生长周期更短和具备大尺寸制备潜力等优势,更适合基于离子切片实现大面积磁光薄膜制备和异质集成。
图1. He离子注入后的BIG、YIG晶体和YIG陶瓷在不同温度下退火的表面变化的光学显微镜图像。
在1.55 μm近红外通讯波段,YIG陶瓷展现出优异的磁光性能。研究显示,其法拉第旋转角达到175°/cm,非互易相移(NRPS)为282.90 rad/m。基于这一材料特性,研究团队设计了一个基于马赫-曾德干涉仪(MZI)结构的片上光隔离器。研究结果表明,该隔离器在1.55 μm波长下表现出插入损耗仅为2.78 dB,隔离带宽达到83 nm。
此外,随着光通信对更高带宽需求的增长,中红外波段(2.1 μm)也逐渐成为研究热点。在这一波段,YIG陶瓷表现出显著的性能优势。其法拉第旋转角为114°/cm,虽然低于1.55 μm波段,但其光吸收显著降低,且非互易相移(NRPS)仍然达到199.53 rad/m。基于此,研究团队设计的片上光隔离器在2.1μm波段的插入损耗进一步降低至仅0.35 dB,隔离带宽则增加至84 nm。这些性能的提升得益于YIG陶瓷在中红外波段极低的吸收系数(α = 0.053 cm⁻¹)及其磁光系数在色散关系中的稳定性。
这项研究充分验证了YIG陶瓷在1.55 μm近红外和2.1 μm片上光隔离器应用中的可行性,以及通过离子切片技术实现大尺寸硅基磁光薄膜制备的重要价值,展现出YIG陶瓷和离子切片技术在中红外通信和传感领域应用的巨大潜力。
图2. NRPS 波导截面尺寸和Hx在1.55 μm(a)和2.1 μm(b)处的分布,以及仿真计算得到的隔离器在1.55 μm(c)和2.1 μm(d)波长下的传输特性。
相关工作得到国家重点研发计划和上海市自然科学基金面上项目的支持。
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