仪器名称 |
紫外-可见-近红外分光光度计 | |
仪器型号 |
安捷伦Cary 5000 | |
仪器照片 |
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仪器参数 |
l 波长范围:175~3300nm; l 是否偏振:自动偏振器 l 波长准确度:紫外可见≤±0.08nm;近红外≤±0.5nm; l 波长重复性:紫外可见≤±0.005nm;近红外≤±0.02nm; l 光度准确性:±0.00025A(0.3Abs或0.5Abs双光阑法); l 光度重复性:±0.00014A(0.5~1A); l 带宽:紫外可见0.01~5nm,0.01nm间隔自动调节;近红外0.04~20nm,0.01nm间隔自动调节; l 光谱分辨率:优于0.048nm(紫外可见区);优于0.2nm(近红外) | |
仪器名称 |
X射线粉末衍射仪 | |
仪器型号 |
日本理学Rigaku X射线粉末衍射仪 ULTIMA IV | |
仪器照片 |
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仪器参数 |
l 测角仪器半径:185mm; l X射线光管:A-41 2.0KW l 扫描角度范围:2θ:3°-120° l 扫描步长0.02° | |
仪器名称 |
X射线单晶定向仪 | |
仪器型号 |
丹东新东方X射线定向仪:XY-2 | |
仪器照片 |
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仪器参数 |
l X射线源:铜Kα1线,波长为0.154056nm l 测试精度:±30″ l 2θ范围:10°-100° l 标准样片:(101)石英片SiO2,θ值为13°20′ | |
仪器名称 |
半导体器件霍尔效应测试系统 | |
仪器型号 |
Lake Shore-8404 | |
仪器照片 |
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仪器参数 |
l 电阻测量范围:10 mΩ ~ 200 GΩ l 电流范围:±1 pA ~ ±100 mA l 迁移率测试范围:1 ~ 1 × 106cm2/V·s l 温度范围:15 k ~ 350 K l 室温下最大磁场:1.67 T l 使用低温选件时最大磁场:0.89 T 室温最大样品尺寸:10 mm × 10 mm × 3 mm,采用焊接引线方式进行样品安装 | |
仪器名称 |
激光共聚焦显微镜 | |
仪器型号 |
LSM900 | |
仪器照片 |
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仪器参数 |
l 正立透反全自动光学显微镜; l 宽视野平场10x/23目镜; l 物镜:选用最先进的反差增强系列,增加短波长透光率,提高图像的分辨率; l 第二代国际最先进的IC2S无限远轴向及径向双重色差校正及反差增强的光学系统; l 有TFT触摸式液晶操作屏; l 显微镜Z方向步进精度10 nm,并带有1 nm精度闭环装置; l 电动扫描台; l 电动7位物镜转盘; l 蔡司原装Axio cam 105摄像头,500万像素; l 观察方式:反射光明场、暗场、偏光、微分干涉、荧光; l 405 nm半导体激光器,功率5 mW; l 长寿命LED照明,寿命不低于10000 h; l 专用共聚焦反射光通道,配有高灵敏度PMT探测器; l 三维表面形貌软件模块:可获得三维表面形貌图及高度图(地形图),并增加多种测量功能(粗糙度、表面积、体积); 图像拼接模块:可实现XZ剖面拼图和XYZ空间拼接。 | |
仪器名称 |
方阻测试仪 | |
仪器型号 |
LEI-1510EC | |
仪器照片 |
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仪器参数 |
l 线性度±3; l 高量程HI Rang 测试结果小于等于0.5%; l 低量程LO Rang 测试结果小于等于0.3%; l 超低量程XL Rang:测试结果小于等于0.55%; l 线圈的直径为14 mm; l 可测量wafer的尺寸为2-8 inch; l Gap Rang探头间距范围; 测试点数可以自己设置。 | |
仪器名称 |
颗粒度测试仪 | |
仪器型号 |
NanoSight NS300 | |
仪器照片 |
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仪器参数 |
粒径检测范围:10–2000nm* 浓度检测范围:106–109个/ml 光电单元:超高灵敏度科研级sCMOS 样品量:最少300 ul | |
仪器名称 |
FTIR红外光谱仪 | |
仪器型号 |
FTIR-850 | |
仪器照片 |
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仪器参数 |
光谱范围:7800-350cm-1 分辨率:0.5 cm-1 波束精度:0.01 cm-1 | |