位错是晶体中极具危害性的微观缺陷，也是制约半导体材料与器件性能的“隐形杀手”。这类缺陷纵向尺度可达微米至毫米级，但横向仅为原子级宽度，无法通过常规光学手段直接观测。在器件工作过程中，晶体位错会形成载流子复合中心、诱发漏电流、造成局部应力集中，大幅降低器件的可靠性与使用寿命。X射线形貌术（XRT）作为一种高精度无损表征技术，依托布拉格衍射衬度成像原理，可实现晶体内部位错缺陷空间分布的微米级可视化检测，同时借助g·b消光准则精准判定位错伯格斯矢量、区分缺陷类型，是观测晶体晶格畸变、解析位错特征的核心手段。本报告以导模法（EFG）β-Ga₂O₃晶体为核心研究对象，展示(100)、(001)、(-201)等典型晶面的XRT实测表征结果，结合典型案例分析晶体位错分布规律与缺陷特征，阐明XRT技术在晶体质量评估、制备工艺优化中的关键作用

Biography

    赛青林，中国科学院上海光学精密机械研究所研究员，中国科学院青促会会员。长期深耕超宽禁带半导体氧化镓单晶制备、缺陷表征与性能调控研究，攻克大尺寸低缺陷氧化镓单晶核心关键技术，参与完成的“大尺寸氧化镓单晶生长技术与智能化装备”成果获浙江省官方科技成果认定、整体达国际先进水平。主持国家重点研发计划、上海市集成电路专项ZF等多项重大课题，具备丰富的晶体工艺优化与研发经验。