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二维半导体光子学性质研究
信息来源: 发布时间: 2016年09月27日 【 】 【打印】 【关闭

  

 

报告人:李源鑫(材料、博士三年级) 导师:王俊研究员  

  

报告题目:二维半导体光子学性质研究

 

报告时间:2016年9月29日下午13:50 

 

报告地点:1号楼学术报告厅 

报告摘要:  

特殊的结构和量子限制效应使过渡金属硫化物二维半导体具有独特的光电子学性能,基于该体系的纳米光电效应及其器件已成为信息领域的重要研究前沿之一。本报告将介绍作者在近红外光子和二维半导体相互作用方面的最新工作进展,包括二维半导体的双光子吸收及其饱和特性的相关研究,并分享研究学习心得。

 
 

个人学习经历:  

   2012.09 至今 中国科学院上海光学精密机械研究所 

2008.092012.07山东大学 

2009.092010.07北京理工大学,交流生 

获奖情况: 

2016年 中国科学院大学“朱李月华优秀博士生奖学金” 

2016年 上海光机所“闽能优秀学生奖学金” 

2015年 中华人民共和国教育部“博士研究生国家奖学金” 

2015年 中国科学院大学“三好学生” 

    2014年 上海光机所优秀研究生奖学金三等奖

 

代表性论文:  

(1)Li, Y.; Dong, N.; Zhang, S.; Zhang, X.; Feng, Y.; Wang, K.; Zhang, L.; Wang, J. Giant Two-Photon Absorption in Monolayer MoS2.Laser & Photonics Reviews2015,9, 427–434. 

(2)Li, Y.; Dong, N.; Zhang, S.; Wang, K.; Zhang, L.; Wang, J. Optical Identification of Layered MoS2via the Characteristic Matrix Method.Nanoscale2015,8, 1210–1215.

 

联系方式:  

Email:.liyuanxin@siom.ac.cn

 

  

 

 

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