Abstract

在不同的集成光电器件材料平台中，氮化硅材料具有从可见到中红外的宽透射谱，其相关集成光电子器件的制备与半导体CMOS工艺兼容，且传输损耗低、目前实验上还没有观测到明显的双光子吸收效应。本报告将介绍我们在氮化硅集成光子芯片方面的相关工作，包括偏振分束、矩阵光开关、微腔滤波，及其在相关折射率检测、表面增强拉曼光谱、光频率梳等方面的应用。

冯吉军，上海理工大学光电信息与计算机工程学院教授，2005年于中国科学技术大学获理学学士、工学双学士，2010年于中国科学院上海光学精密机械研究所获光学工程博士学位，随后赴日本产业技术综合研究所任特别研究员，2013年获日本学术振兴会（JSPS）外国人特别研究员资助。2015年获聘上海市东方学者特聘教授。主要从事集成光电子器件相关研究工作，研制了II-VI族量子阱黄绿光激光器、III-VI族超高速全光开关、硅基三维集成微腔等集成光子芯片。已发表学术论文50余篇，主持国家自然科学基金面上、青年、上海市自然科学基金等项目。