2011年3月4日，中国科学院上海光学精密机械研究所组织专家对国际光学工程学会会士（SPIE Fellow）、日本新泻大学Osami Sasaki教授承担的“中国科学院外国专家特聘研究员计划”项目（编号：2010T1G14）进行了同行评议，该项目是对EUVL投影曝光光学系统波像差干涉测量技术开展的研究。专家组认为该项目完成了预期研究内容，达到了研究目标，一致同意该项目通过评议。

极大规模集成电路是当今几乎所有高技术领域发展的基石。新一代集成电路的出现，总是以光刻工艺实现更小的芯片特征尺寸为主要技术标志。根据2010年国际半导体技术蓝图，极紫外光刻技术（EUVL）是22nm及以下节点的首选光刻技术。高精度EUVL波像差检测技术是研发22nm及以下节点EUVL投影曝光光学系统必须采用的关键技术。

在上海光机所工作的两个多月里，Osami Sasaki教授与王向朝教授研究团队密切合作，对EUVL投影曝光光学系统波像差干涉测量技术进行了专项研究。Osami Sasaki教授基于正弦相位调制干涉测量技术，提出了一种用于高精度测量EUVL光学系统波像差的正弦相位调制剪切干涉测量技术。合作研究团队对该技术进行了深入研究，设计了用于剪切干涉测量装置的剪切光栅，建立了剪切干涉信号信息处理算法模型与光学系统波前重建算法模型。在研究过程中，Osami Sasaki教授同时协助指导了多名参与该项目研究的博士生与硕士生。（信息光学与光电技术实验室供稿）