2010年11月3日，应上海光机所信息光学与光电技术实验室黄惠杰研究员的邀请，荷兰TUDelft大学（Delft University of Technology）Lis K. Nanver教授对我所进行了学术交流访问。期间，Lis K. Nanver教授作了题为“Boron-layer silicon photodiode detectors for DUV/VUV/EUV light and low-energy electrons”的精彩学术报告，并与信息光学与光电技术实验室相关研究人员就深紫外、极紫外波段光电探测器性能进行了深入讨论。

Nanver教授目前的主要研究方向为采用纯硼化学气相沉积工艺制备极浅PN结的光电二极管。此种工艺较其它传统工艺的主要优点是暗电流更低、灵敏度更高等，在深紫外、极紫外光刻设备中有重要应用前景。（信息光学与光电技术实验室供稿）