设备名称: 超高真空薄膜制备系统 | ||||||
设备型号 | JGP560 | 设备编号 | 726201 | 产 地 | 沈阳 | |
制造商名称 | 中科院沈阳科学仪器研制中心有限公司 | |||||
经销商 | 中科院沈阳科学仪器研制中心有限公司 | |||||
购置时间 | 2007/4/20 | 启用日期 | 2008/8/6 | 仪器金额 | 500000 | |
接收时的状态及验收记录 | 完好,验收合格 | |||||
仪器描述 | 本系统为单室立式结构的超高真空多功能磁控溅射镀膜系统. | |||||
仪器主要配件 | 射频磁控电源、控温装置、微机控制膜层系统等 | |||||
仪器主要功能 | 本底真空可达≦1×10-5Pa,可采用直流溅射、射频溅射、反应溅射、共溅射等溅射方法开发制备纳米级单层及多层功能膜、各种硬质膜、金属膜、半导体膜、介质膜等。其中一个样品表面温度可加热到600℃.可加负偏压。 | |||||
分析项目说明 | 靶材要求:溅射靶材直径为60mm,厚≦5mm 基片要求:尺寸为20×50mm或直径为30mm的圆形基片。 | |||||
联系方式 | 张奎:021-69918562 | |||||
设备图片 |