微纳光电子功能材料实验室

中科院上海光机所在非线性超分辨光盘研究中取得突破性进展

更新时间:2023-11-23 【打印】 【关闭

上海光机所知识创新工程工作简报

 (第二三七期)

2009年9月7日 

 

中科院上海光机所在非线性超分辨光盘研究中取得突破性进展

 

   近期,上海光机所高密度光存储实验室在非线性薄膜结构的超分辨光信息存储技术方面,经过近十年的探索、研究和多方合作,取得了突破性进展。

  

   随着信息技术的快速发展,要求信息存储技术向高密度、高数据传输速率和大容量方向发展。光信息存储作为三大信息存储(光存储、磁存储和半导体存储)技术之一在高清影视节目、大容量文档永久保存、海量数据存储及今后的三维影视节目播放中占据着关键的地位。通过缩短激光波长到GaN激光器的405nm和增大光学头的数值孔径到0.85,现在的蓝光光盘容量已经达到25-27dB。然而下一代光盘的要求容量达到100GB以上,依靠传统的提高光盘密度和容量的途径(缩短激光波长和增大光学头的数值孔径)已经走向极限。如何打破光的衍射极限实现纳米存储是下一代光存储技术面临的瓶颈问题。

  

   高密度光存储实验室针对这一问题,采用自行设计的光盘结构和理论模型,利用无机和有机材料相结合,在激光波长为405nm和光学头的数值孔径为0.65的光盘动态测试系统上(该测试系统的光斑尺寸达到近800nm)实现了最小尺寸为80nm以下的信息点的动态记录与读出(该尺寸是动态记录和读出系统光斑尺寸的近1/10),线密度达到蓝光光盘的两倍以上,从而使5英寸光盘的容量可达到100GB以上的能力(目前容量为25GB的蓝光光盘的最小记录点尺寸为140-160nm)。

  

   该课题组的研究得到了中科院知识创新工程方向性项目和国家自然科学基金的支持。在研究过程中在Applied Physics Letters等国际核心期刊上发表论文30余篇,申请并获得授权的国家发明专利近10项,取得了一系列具有知识产权的创新性成果。

 

(高密度光存储实验室供稿)