薄膜光学实验室

上海光机所首次提出TM偏振全介质光栅激光损伤阈值优越性

更新时间:2023-11-28 【打印】 【关闭

超强激光科学卓越创新简报

(第四百四十期)

2023年11月7日

上海光机所首次提出TM偏振全介质光栅激光损伤阈值优越性

近期,中国科学院上海光学精密机械研究所邵建达研究员、晋云霞研究员团队在TM偏振全介质脉冲压缩光栅领域取得突破性进展。相关成果以“TM polarization preferentially implemented in the next generation of high-intensity laser systems based on multilayer dielectric gratings”为题发表于Applied Physics Letters

皮秒大能量钕玻璃激光装置是实现激光聚变的重要工具,支持皮秒大能量脉冲展宽和压缩的高阈值全介质光栅是实现目前SG-IINIF-ARC等大激光装置能量负载能力提升的一个核心技术难题。在过去近40年里,该类激光装置均采用高色散TE偏振全介质光栅实现脉冲压缩且可用光栅的通量阈值也接近极限。研究团队针对高损伤阈值全介质压缩光栅需求,首次基于低色散偏振无关全介质光栅阐明TM偏振的阈值优越性。

在本项研究中,研究团队首次利用多层倾角结构构建偏振无关全介质光栅,其TETM双偏振衍射效率性能在1020~1080 nm的波长范围内处于同一水平,平均效率均超98%。以偏振无关全介质光栅为平台,在同等激光条件、同等光栅光谱性能的条件下开展研究全介质压缩光栅抗激光损伤能力对偏振态的响应情况。研究结果显示:TM偏振下1170 g/mm全介质光栅的1-on-1通量阈值(为1.4~2.0 J/cm2@8.6 ps1053±3 nm)约为TE偏振的1.55倍。通过分析损伤演化过程和创建生长模型,阐明了TM偏振全介质光栅具有低电场增强、对激发光强度的低敏感度、对损伤结构的低响应,以及低损伤生长动态,为研制高阈值介质光栅、建设大能量负载压缩器寻求了新的技术路径。目前,本团队正将TM偏振全介质光栅的口径推向米级,并开展性能更优异设计方案未来服务于我国大激光装置建设。

研究工作得到了国家重点研发计划、国家自然科学基金、科技部、上海市战略新兴产业项目的支持。

原文链接

1偏振无关全介质光栅(a)多层倾角偏振无关光栅设计示意;(bAFM测试样品槽形轮廓;(cSEM测试样品剖面结构

2 光栅内部归一化电场增强分布,激光从光栅左侧入射,a)对应TE偏振;(b)对应TM偏振,插图表示双偏振下光栅初始损伤形貌,其中白色线条表示200 nm标尺

3 损伤生长(a)损伤生长序列和对应的计算案例;(b)损伤光栅的衍射效率谱随烧蚀空泡横截面尺寸的变化;(c)光栅脊内部最大电场增强值与烧蚀空泡横截面大小的关系